工作职责:
1.DRAM存储单元的特性与测试规格开发；
2.感应放大器电路性能的调试以及设计验证;
3.核心存储阵列相关的芯片内部时序设计窗口评估以及设计验证；
4.核心阵列器件特性研究与失效分析；
5.针对低良率的相关测试项目进行分析并且给出改善方向。
任职资格:
1.硕士及以上学历，具有元件/微电子/集成电路背景，并具有产品或电性失效分析相关领域的行业经验者优先；
2.熟悉电路特性分析、元器件内部设计原理、结构及工艺者优先；
3.有微电子、物理等相关学习或工作背景者优先；
4.严谨细心，具备良好逻辑思维和沟通能力。
职位描述
工作地址
合肥蜀山区长鑫存储技术有限公司长鑫存储
长鑫科技
长鑫科技集团股份有限公司
半导体/芯片1000-9999人
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更新于：2025-01-19